Аз нуқтаи назари касбӣ, раванди истеҳсоли чип ниҳоят мураккаб ва дилгиркунанда аст. Аммо, аз занҷири пурраи саноатии IC, он асосан ба чор қисм тақсим мешавад: тарҳи IC → истеҳсоли IC → бастабандӣ → озмоиш.
Раванди истеҳсоли чип:
1. Тарҳрезии чип
Чип маҳсулотест, ки ҳаҷми хурд, аммо дақиқии хеле баланд аст. Барои сохтани чип, тарроҳӣ қисми аввал аст. Тарҳ кӯмаки тарҳи чипи тарҳи чипро, ки барои коркард бо ёрии асбоби EDA ва баъзе ядроҳои IP лозим аст, талаб мекунад.
Раванди истеҳсоли чип:
1. Тарҳрезии чип
Чип маҳсулотест, ки ҳаҷми хурд, аммо дақиқии хеле баланд аст. Барои сохтани чип, тарроҳӣ қисми аввал аст. Тарҳ кӯмаки тарҳи чипи тарҳи чипро, ки барои коркард бо ёрии асбоби EDA ва баъзе ядроҳои IP лозим аст, талаб мекунад.
3. Кремний - бардоштан
Пас аз ҷудо кардани кремний, маводи боқимонда партофта мешаванд. Кремнийи соф пас аз чанд қадам ба сифати истеҳсоли нимноқилҳо расид. Ин ба истилоҳ кремний электронӣ мебошад.
4. Кремний-резакҳои рехтагарӣ
Пас аз тоза кардан, кремний бояд ба зарфҳои кремний рехта шавад. Як кристали кремнийи электронии дараҷаи электронӣ пас аз андохтан ба зарф тақрибан 100 кг вазн дорад ва тозагии кремний ба 99,9999% мерасад.
5. Коркарди файл
Пас аз рехтани зарфи кремний, тамоми зарфи кремний бояд ба пораҳо бурида шавад, ки он вафлиест, ки мо онро маъмулан вафли меномем, ки хеле лоғар аст. Баъдан, вафли то комил шуданаш сайқал дода мешавад ва сатҳи он мисли оина ҳамвор аст.
Диаметри вафли кремний 8 дюйм (200 мм) ва диаметри 12 дюйм (300 мм) мебошад. Чӣ қадаре ки диаметри калонтар бошад, ҳамон қадар арзиши як чипи ягона камтар мешавад, аммо мушкилии коркард ҳамон қадар баландтар аст.
5. Коркарди файл
Пас аз рехтани зарфи кремний, тамоми зарфи кремний бояд ба пораҳо бурида шавад, ки он вафлиест, ки мо онро маъмулан вафли меномем, ки хеле лоғар аст. Баъдан, вафли то комил шуданаш сайқал дода мешавад ва сатҳи он мисли оина ҳамвор аст.
Диаметри вафли кремний 8 дюйм (200 мм) ва диаметри 12 дюйм (300 мм) мебошад. Чӣ қадаре ки диаметри калонтар бошад, ҳамон қадар арзиши як чипи ягона камтар мешавад, аммо мушкилии коркард ҳамон қадар баландтар аст.
7. Гирифтани офтоб ва сӯзандоруи ионҳо
Аввалан, зарур аст, ки оксиди кремний ва нитриди кремнийро, ки берун аз фоторезистҳо фош карда шудаанд, занг занед ва қабати кремнийро барои изолятсия байни найчаи кристалл таҳрик диҳед ва сипас технологияи etching барои фош кардани кремнийи поёнро истифода баред. Сипас бор ё фосфорро ба сохтори кремний ворид кунед, пас мисро барои пайваст шудан бо транзисторҳои дигар пур кунед ва сипас ба он қабати дигари ширеше молед, то қабати сохтор созед. Умуман, чип дорои даҳҳо қабатҳо мебошад, ба монанди шоҳроҳҳои зич бо ҳам пайваст.
7. Гирифтани офтоб ва сӯзандоруи ионҳо
Аввалан, зарур аст, ки оксиди кремний ва нитриди кремнийро, ки берун аз фоторезистҳо фош карда шудаанд, занг занед ва қабати кремнийро барои изолятсия байни найчаи кристалл таҳрик диҳед ва сипас технологияи etching барои фош кардани кремнийи поёнро истифода баред. Сипас бор ё фосфорро ба сохтори кремний ворид кунед, пас мисро барои пайваст шудан бо транзисторҳои дигар пур кунед ва сипас ба он қабати дигари ширеше молед, то қабати сохтор созед. Умуман, чип дорои даҳҳо қабатҳо мебошад, ба монанди шоҳроҳҳои зич бо ҳам пайваст.
Вақти фиристодан: июл-08-2023
